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Les matériaux 2D ont attiré beaucoup l’attention en raison de leurs propriétés électriques et optiques fascinantes, permettant une large gamme d’applications de haute performance en nanoélectronique, en optoélectronique, en spintronique, etc. De nouvelles caractéristiques inédites résultent de l’assemblage de jonctions P-N basées sur l’intégration de semi-conducteurs 2D de type P et de type N adaptés. Le premier, de type P, peut conduire des trous (charges positives), alors que le second, de type N, conduit des électrons (charges négatives). Néanmoins, l’essentiel des semi-conducteurs 2D connus est de type N et les semi-conducteurs de type P découverts à ce jour restent rares, ce qui limite sévèrement le degré de liberté des jonctions P-N.

De nouveaux semi-conducteurs pour le développement de nouvelles architectures pour les technologies (opto)électroniques

Il est donc crucial de découvrir de nouveaux semi-conducteurs 2D de type P afin de stimuler le développement de nouvelles architectures pour les technologies (opto)électroniques complémentaires à haut rendement énergétique de la prochaine génération. Le phosphore violet (PV), forme stable du phosphore, est un des candidats les plus prometteurs pour changer la donne dans la famille des semi-conducteurs 2D de type P.

Les recherches menées au sein du laboratoire de nanochimie de l’Institut de science et d’ingénierie supramoléculaires (CNRS/Université de Strasbourg), dirigé par Paolo Samori, en collaboration avec l’Université technique de Dresde (Allemagne), ont développé une nouvelle stratégie de synthèse pour produire des feuillets de PV de haute qualité de quelques monocouches d’épaisseur. Ces résultats sont publiés dans la revue Journal of the American Chemical Society.

• Retrouvez l'intégralité de l'article sur le site de l’Institut de chimie du CNRS (INC) et l'article paru dans la revue Journal of the American Chemical Society.